응집상 양자 결맞음 연구센터는 고체 내 전자들의 양자역학 파동함수를 제어하는 기법을 개발하여, 고순도 이차원 전자계, 반도체 일차원 나노 도선 등 다양한 계의 양자 결맞음 현상을 연구하는 것을 목표로 설립되었습니다.
  전자들의 양자 결맞음은 전자의 양자역학적 파동성에 기인한 현상들을 통칭하는 것으로, 양자 얽힘, 애니온, 양자 비트, 다체 현상 및 다체 상, 비국소적 위상 효과, 나노스케일 전도 현상 등 새롭게 발견되고 있는 응집상 현상들의 근본원리입니다. 차세대 반도체 소자가 될 양자 전기 소자, 양자 정보 소자, 양자 컴퓨터 등의 근본원리이기도 합니다.
  본 연구센터는 전자 파동함수 측정 및 제어를 위한 양자역학 극한 기술 개발, 새로운 특이 준입자 탐색, 양자 전자 수송 연구, 다체 현상 연구기법 개발, 차세대 양자정보 소자 및 양자컴퓨터 원천기술 축적 등을 수행하여, 새로운 학문 분야를 개척하고 고급 연구 인력을 양성하여 미래 사회를 대비할 것입니다.